2024-05-28
L6482器件采用模拟混合信号技术实现,是一款先进的全集成式解决方案,适合以微步距驱动两相双极性步进电机。
它集成了一个双通道全桥栅极驱动器,用于N沟道MOSFET功率级,内置无功耗过流保护。由于新的电流控制,通过自适应衰减模式实现了1/16微步,优于传统实现方式。数字控制内核可以生成用户定义的运动轨迹,其加速度、减速度、速度或目标位置可通过专用寄存器组轻松编程。所有应用命令和数据寄存器,包括用于设置模拟值的寄存器(即电流保护跳变点、空载时间、PWM频率等)。)通过标准的5 Mbit/s SPI发送。一套非常丰富的保护功能(热、低总线电压、过流和电机失速)使L6482器件具有“防弹”性能,符合最苛刻的电机控制应用的要求。
l 工作电压:7.5V至85V
l 用于N沟道MOSFETs的双通道全桥栅极驱动器
l 完全可编程栅极驱动
l 嵌入式米勒箝位功能
l 可编程速度曲线
l 高达1/16微步
l 具有自适应衰减模式的高级电流控制
l 集成电压调节器
l SPI接口
l 低静态待机电流
l 可编程非耗散过电流保护
l 过温保护
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